多層單元

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多層單元（英語：multi-level cell，縮寫MLC）是一種儲存多個位元資訊的記憶體元件。

MLC NAND快閃記憶體是一種在每個單元（cell）上使用多個層次的快閃記憶體技術，從而允許相同數量的電晶體儲存更多位元。在單層單元（SLC）NAND快閃記憶體技術中，每個單元只能處於兩種狀態中的一種，即每個單元儲存一個位元。很多MLC NAND快閃記憶體在每個單元中儲存四個可能的狀態，因此可以用每個單元儲存兩個位元。這減少了區分狀態的餘量，從而增加了發生錯誤的可能性。面向低錯誤率而設計的多層單元有時稱之為企業級MLC（eMLC）。

三層單元（Triple-level cells，縮寫TLC）是MLC記憶體的一種子類型，並隨著MLC記憶體的演變而有著較混亂的命名法。記憶體階層表現為如下順序：

SLC - （最快，極高成本）

MLC - （中上，高成本）

TLC - （中等，低成本）

QLC - （最慢，極低成本）

目次

1 概述

2 三層單元

3 單層單元

4 參見

5 參考資料

6 外部連結