DRAM刷新refresh相关知识归类-基础小知识（三）

文章目录

一、背景小知识

1.1 DRAM的层次结构

1.2 刷新要求

1.3 DRAM存储芯片的读写时序

1.4 刷新方式分类

参考文献

RAM每一位数据都是通过芯片内的一个

小电容充电（或低电平）存储的。但随着时间的推移，电容逐渐失去电荷。为避免丢失存储的数据，必须

定期刷新以将电荷（如果存在）恢复到其原始级别。此刷新过程包括读取每个位的值，然后将其写回。在此“刷新”期间，内存被占用，无法执行加载或存储位等正常操作。知道了应该这么做，但怎么去做以及有什么办法更有效率去做，就是接下来要整理的内容。

一、背景小知识

动态随机存储器(DRAM)具有速度快、密度高、成本低的优势,被广泛应用于计算机的主存.DRAM采用电容作为存储单元,电容电荷的多少表示数字"0"或"1".由于存在漏电现象,电容里的电荷会缓慢流失,造成数据丢失.为保证数据正确性,DRAM采用周期性的刷新操作,在数据丢失前,把数据读出然后重新写入存储单元.刷新操作会阻碍正常访存的执行,造成性能上的开销;同时刷新操作会消耗额外的功耗,带来功耗上的开销.刷新的开销与DRAM密度相关。随着内存容量需求的增加，DRAM占系统整体功耗的比例可达40%。

1.1 DRAM的层次结构

从顶层到Rank,Chip,Bank,Sub-array，MAT,Cell。一个Chip内部包含有多个Bank，每个bank包含有独立的行地址译码器（row decoder）和感应放大器（sense amplifier）。一般认为，Bank 是DRAM完成